磁表面存储器

第三节磁表面存储器5.3.1存储原理与技术指标1.读写原理存储介质：磁层读/写部件：磁头（1）写入在磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并使磁层移动，在磁层上形成连续的小段磁化区域（位单元）。（2）读出磁头线圈中不加电流，磁层移动。当位单元的转变区经过磁头下方时，在线圈两端产生感应电势。读出信号磁通变化的区域2.技术指标道密度：（1）记录密度（2）存储容量位密度：单位长度内的磁道数。磁道上单位长度内的二进制代码数。非格式化容量：格式化容量：总位数用位密度计算。有效位数用扇区內的数据块长度计算。（3）速度指标平均存取时间带：平均等待时间盘：平均定位、平均旋转时间衡量查找速度ms数据传输率衡量读/写速度b/s、B/s5.3.2磁记录方式1.定义写电流波形的组成方式。解决提高可靠性：增大写波幅度，以提高读出信号幅度。内同步，即能从自身读出信号序列中提取同步信号，以区分位单元。提高记录密度减少转变区数目，使位单元长度缩短。具有自同步能力，使位单元长度缩短。2.实用记录方式的特点与应用（1）不归零-1制（NRZ1）写1时电流变，写0时电流不变。001101转变区少，无自同步能力。用于早期低速磁带机。（2）调相制（PE）001101写1时电流正跳变，写0时电流负跳变。转变区多，有自同步能力。用于常规磁带机。（3）调频制（FM）001101写1时电流变二次，写0时电流变一次。转变区多，有自同步能力。用于早期磁盘。I0tI0tI0t写1时位单元中间电流变，相邻的0交界处电流变。转变区少，有自同步能力。用于磁盘。（4）改进型调频制（MFM）001101可压缩位单元长度：001101（5）群码制（GCR）记录码中连续的0不超过2个；记录码按NRZ1方式写入。转变区少，有自同步能力。用