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半导体存储器

4次阅读 777 2021-09-07 21:31:32 举报
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第二节半导体存储器工艺双极型MOS型TTL型ECL型速度很快、功耗大、容量小电路结构PMOSNMOSCMOS功耗小、容量大工作方式静态MOS动态MOS存储信息原理静态存储器SRAM动态存储器DRAM(双极型、静态MOS型):依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。(动态MOS型):依靠电容存储电荷的原理存储信息。功耗较大,速度快,作Cache。功耗较小,容量大,速度较快,作主存。(静态MOS除外)5.2.1静态MOS存储单元与存储芯片1.六管单元(1)组成T1、T3:MOS反相器Vcc触发器T2、T4:MOS反相器T5、T6:控制门管ZZ:字线,选择存储单元位线,完成读/写操作WW:(2)定义“0”:T1导通,T2截止;“1”:T1截止,T2导通。T3T1T4T2T5T6WW、(3)工作T5、T6Z:加高电平,高、低电平,写1/0。(4)保持只要电源正常,保证向导通管提供电流,便能维持一管导通,另一管截止的状态不变,∴称静态。导通,选中该单元。电流,读1/0。Z:加低电平,T5、T6截止,该单元未选中,保持原状态。2.存储芯片例.SRAM芯片2114(1K×4位)(1)外特性静态单元是非破坏性读出,读出后不需重写。T3T1T4T2T5T6WVccZW写入:在W、W上分别加读出:根据W、W上有无地址端:(2)内部寻址逻辑A9~A0(入)数据端:D3~D0(入/出)控制端:片选CS=0选中芯片=1未选中芯片写使能WE=0写=1读电源、地寻址空间1K,存储矩阵分为4个位平面,每面1K×1位。2114(1K×4)191018A6A5A4A3A0A1A2CSGNDVccA7A8A9D0D1D2D3WEX0每面矩阵排成64

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